В новом чипе V-NAND в любой ячейке применяется структура 3D Charge Trap Flash (CTF), в составе которой массивы ячеек устанавливаются вертикально друг на друга и организуют, таким образом, 48-слойный массив, который подключается электрически через 1,8 млрд канальных отверстий, пронизывающих массивы благодаря особой технологии травления. Новые чипы достигнут объёма 32 Гб при сохранении площади, при этом расход энергии уменьшен на 30%, а работоспособность увеличилась на 40%.
Компания Самсунг анонсировала начало индустриального производства 256-гигабитной памяти 3D V-NAND, которая призвана увеличить вместимость твердотельных накопителей.
Компания Самсунг официально проинформировала о начале массового производства чипов памяти Vertical NAND (V-NAND), которые содержат 48 слоев и имеют емкость 256 Гб.
Сегодня Самсунг анонсировала сразу три высокопроизводительных SSD, которые используют ее технологию 3D V-NAND. Соответственно, может удвоиться и объем издаваемых Самсунг твердотельных накопителей.
Фирма намерена производить 3-е поколение памяти V-NAND на протяжении оставшихся месяцев 2015 г., чтобы ускорить переход на терабайтные твердотельные диски. Эта модель обеспечивает быструю скорость передачи данных и емкость 3,2 ТБ либо 6,4 ТБ. Также этот гаджет найдет свое назначение в больших корпорациях и DATA-центрах.
